Der Schwerpunkt liegt auf der Untersuchung von heutigen Transceiver-Architekturen der drahtlosen Kommunikationssysteme, wie z. B. Bluetooth, DCT, WLAN, UMTS und deren technischen Spezifikationen, der Einsatz der Phasenregelschleife PLL als Kernsystem in allen modernen Transceivern, Stand der Technik in PLL-Design/Modellierung und die Gegenüberstellung verschiedener PLL-Architekturen und Parametern von verschiedenen RF-IC Herstellern (NOKIA, Infineon, National Semiconductor).
Ferner kann auch die Design- und Implementierungsmethodik von heutigen analog/mixed signal integrierten HF-Schaltungen und deren Ablauf (top-down design and bottom-up verification) anhand eines Beispieles untersucht und erklärt werden. Hierzu kann auf die Service-Leistungen, die EUROPRACTICE den akademischen Einrichtungen in Europa anbietet, eingegangen werden, z. B. die breite Auswahl an EDA-Tools und Technologien und die verschiedenen Mikroelektronik-Design-Kits bis zur Prototypenfertigung.
Auf Wunsch stellen wir gerne einen Arbeitsplatz zur Verfügung. Am Arbeitsplatz steht die CADENCE-Design-Environment SpectreRF zur Verfügung. Als Alternative könnte auch die Design-Umgebung Advanced-Design-System (ADS) von Agilent verwendet werden.
Gerne können Sie auch Ihre Vorschläge / Ideen zu diesem Themenfeld mit uns besprechen.
Betreuer: Michael Hinz
Von einem MOS-Transistor der Fa. Philipps liegen uns detaillierte Messergebnisse bzgl. der Kleinsignal/Rauschparameter und des Großsignalverhaltens vor. Diese sind mit den numerischen Simulationsmodellen des Instituts zu vergleichen. Hierbei sind die wichtigsten Kennlinien und die s-Parameter Gegenstand der Untersuchung. Bzgl. des Rauschverhaltens soll die für die Schaltungsanwendungen wichtige, minimale Rauschzahl zwischen Messung, Kompaktmodellen und numerischen Simulationen verglichen werden.
Vorkenntnisse: Grundkenntnisse in Linux
Betreuer: t b.d.
Für Vorträge auf diesem Arbeitsgebiet sollen einige Veröffentlichungen ausgewertet werden, um die Quanteneffekte im Inversionskanal eines MOSFETs zu verstehen.
Mit Hilfe von Simulationen mit dem bereits entwickelten Simulator soll die Genauigkeit und die Leistungsfähigkeit des "Density Gradient" Modells für strained Si-MOSFETs dargestellt werden.
Betreuer: Anh-Tuan Pham
Für den Entwurf des MOSFET-Transistors ist die Berechnung des charakteristischen Verhaltens in Form von Stromkennlinien vor der technologischen Realisierung von größter Wichtigkeit. Dies kann mit Hilfe des im Institut bereits erstellten Bauelementsimulators GALENE III durchgeführt werden. Die Berechnung der Stromkennlinien des MOSFETs hängt wesentlich von der Modellierung der Kanalbeweglichkeit ab. In GALENE III stehen verschiedene Beweglichkeitsmodelle zur Verfügung.
In Vorträgen zu diesem Arbeitsgebiet soll der Einfluss der Beweglichkeitsmodelle auf die Stromkennlinien bei verschiedenen Transistoren dargestellt werden.
Betreuer: t.b.d.