Elektronische Bauelemente und Analoge Integrierte Schaltungen sind unverzichtbare Grundbausteine moderner elektronischer Systeme wie Smartphones oder DC-DC-Wandler. Das Institut für Elektronische Bauelemente und Schaltungstechnik vermittelt die notwendige Kenntnisse für die Modellierung, das Design und die messtechnische Charakterisierung dieser Grundbausteine in seinen Vorlesungen. Dazu werden mehrere Vorlesungen, Übungen und Praktika angeboten.

Die Grundlagen werden in den Vorlesungen Wechselströme und Netzwerke und Schaltungstechnik vermittelt und in den zugehörigen Übungen und Seminaren eingeübt. Begleitend zur Vorlesung Schaltungstechnik wird zusätzlich das PSPICE-Praktikum angeboten, das in den Gebrauch von numerischen Schaltkreissimulatoren, die heute nahezu bei jedem Schaltungsdesign verwendet werden, einführt.

Das in den bereits genannten Vorlesungen erworbene Grundlagenwissen wird in den Vorlesungen Analoge Integrierte Schaltungen, Moderne Speichertechnologien und Numerische Bauelement- und Schaltkreissimulation sowie den zugehörigen Übungen vertieft. Begleitend zur Vorlesung Analoge Integrierte Schaltungen wird eine Spectre-Übung angeboten, die in die Verwendung des beim industriellen Design von integrierten Hochfrequenzschaltungen oft benutzten Simulators Spectre-RF einführt.

In dem zusätzlich angebotenen Schaltungstechnikpraktikum wird ein auf einer modernen Architektur beruhender Kurzwellenempfänger auf einer vorgefertigten Leiterplatte (Platine) mit Hilfe von diskreten Bauelementen realisiert. Alle relevanten Schaltungsteile werden mit einem Schaltkreissimulator simuliert, auf der Leiterplatte mit viel Handarbeit realisiert und anschließend ausführlich messtechnisch charakterisiert.

Die numerische Simulation von neuartigen elektronischen Bauelementen inklusive der Bereitstellung der dazu notwendigen Simulationssoftware, sowie der Entwurf und die messtechnische Charakterisierung von integrierten Sende- und Empfangsschaltungen für den Millimeterwellenbereich sind wichtige Forschungsgebiete des Institutes. Mehr dazu finden Sie hier.

Chipfoto eines 24GHz Radarempfängers	Vergleich zwischen simulierten und gemessenen S-Parametern beim rauscharmen Eingangsverstärker (LNA) des 24GHz Radarempfängers